截至2025年11月10日 10點41分，上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)強勢上漲1.96%，成分股神工股份漲停，京儀裝備上漲11.07%，華海誠科上漲5.91%，華海清科，金宏氣體等個股跟漲?？苿?chuàng)半導體ETF（588170）上漲2.12%，沖擊3連漲，最新價報1.5元。

流動性方面，科創(chuàng)半導體ETF（588170）盤中換手10.71%，成交4.26億元，市場交投活躍。拉長時間看，截至11月7日，科創(chuàng)半導體ETF（588170）近1月日均成交5.95億元，領先同類。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導體ETF（588170）近1月規(guī)模增長10.18億元，實現(xiàn)顯著增長。

AI概念龍頭英偉達的CEO上周末再度訪問臺積電，親赴芯片產(chǎn)線并罕見出席芯片代工巨頭的職工運動會，這也是其近3個月來第3次訪問臺積電。對于此次訪問的目的，他表示公司最先進的Blackwell芯片正面臨“非常強勁的需求”，因此對臺積電晶圓的需求也在增長。他指出：“英偉達制造GPU，我們也制造CPU、網(wǎng)絡設備、交換機，所以有很多與Blackwell相關的芯片。而且公司也正在下一代Rubin芯片上很努力。”

當被問及目前資本市場密切關注的存儲芯片短缺問題時，他表示整個產(chǎn)業(yè)正在強勁增長，所以會出現(xiàn)“各種不同東西的短缺”。他指出：“我們有三家非常非常優(yōu)秀的內存制造商，SK海力士、三星、美光，他們都是極其出色的內存制造商，并且已經(jīng)大規(guī)模擴產(chǎn)以支持我們。”

開源證券認為，在AI超級周期推動下，單臺AI服務器的DRAM用量約為傳統(tǒng)服務器的8倍，NAND用量約為3倍，2025年AI對存儲的需求占比已達40%，且未來有望進一步提升。受HDD產(chǎn)能緊張影響，SSD為代表的半導體存儲滲透加速，疊加三星、海力士等原廠將資本開支集中于HBM等高利潤產(chǎn)品，傳統(tǒng)DRAM和NAND供給受限，國內存儲廠商擴產(chǎn)必要性顯著提升。

相關ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導體設備（61%）和半導體材料（23%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導體設備（61%）、半導體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。