12月4日半導體設備ETF、科創(chuàng)芯片ETF強勢。半導體設備ETF在上午震蕩走高，下午維持橫盤，收漲2.4%。科創(chuàng)芯片ETF則在上午回落之后震蕩走高，收漲2.4%。 資料來源：wind 據(jù)摩爾線程披露的上市公告書，公司將于12月5日上市。公司發(fā)行后總股本為47,002.8217萬股，其中本次新股上市初期的無限售流通股數(shù)量為2,938.2386萬股，占本次發(fā)行后總股本的比例為6.25%。本次發(fā)行價格114.28元/股對應的發(fā)行人2024年攤薄后靜態(tài)市銷率為122.51倍，高于同行業(yè)可比公司2024年靜態(tài)市銷率平均水平，存在未來發(fā)行人股價下跌給投資者帶來損失的風險。發(fā)行人和保薦人（主承銷商）提請投資者關注投資風險，審慎研判發(fā)行定價的合理性，理性做出投資。 數(shù)日前的2025年11月23日，長鑫存儲正式發(fā)布8000Mbps DDR5芯片及七大模組產(chǎn)品。相關技術突破，表明了產(chǎn)業(yè)鏈進展的迅速。今年下半年以來，由于AI需求爆發(fā)導致產(chǎn)能擠占，存儲產(chǎn)品持續(xù)漲價。從下游不用應用市場看，存儲芯片或在Q4維持雙位數(shù)漲幅。同時，展望明年，GPU加速釋放，AI端側或也有改善，存儲的產(chǎn)能緊缺可能持續(xù)。 資料來源： CFM閃存市場，興業(yè)證券 也部分因為存儲漲價，作為中國存儲芯片的龍頭廠商，市場對長鑫存儲的上市也十分關注。長鑫在早些時候公布了上市公告書之后，目前市場預期或將于明年上市，近期可能公布招股書。 從ETF的角度看，跟存儲相關性最強的產(chǎn)品或是半導體設備ETF。因為目前芯片類ETF中含有存儲權重多數(shù)為10-20%，含量較低，無法充分跟隨存儲板塊行情。而在目前Dram、Nand走向空間化的過程中，所需要的刻蝕和薄膜沉積工序越來越多。且刻蝕和薄膜沉積均為中國廠商的強項。因此，無論是存儲持續(xù)漲價，還是兩存上市都有望提振明年存儲擴產(chǎn)預期。而在存儲擴產(chǎn)的過程中，國內半導體設備廠商則有望斬獲大量訂單，包括薄膜沉積、刻蝕、量檢測等環(huán)節(jié)。 資料來源：拓荊科技 綜上，當前半導體板塊仍為人工智能驅動，但結構之間有所區(qū)別。從國產(chǎn)算力的角度而言，中國是全球第二大計算市場，國產(chǎn)GPU空間廣大，且有望帶動存儲等器件需求，有興趣的投資者可以關注科創(chuàng)芯片ETF（589100）。更深一步，消費電子、GPU需求帶來的先進制程擴產(chǎn)及存儲擴產(chǎn)等催化，或鑄就半導體設備中長期景氣，這條線可關注半導體設備ETF（159516）。 風險提示： 投資人應當充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導投資人進行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風險，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲蓄的等效理財方式。 無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預期風險和預期收益的證券投資基金品種，其預期收益及預期風險水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。 基金資產(chǎn)投資于科創(chuàng)板和創(chuàng)業(yè)板股票，會面臨因投資標的、市場制度以及交易規(guī)則等差異帶來的特有風險，提請投資者注意。 板塊/基金短期漲跌幅列示僅作為文章分析觀點之輔助材料，僅供參考，不構成對基金業(yè)績的保證。 文中提及個股短期業(yè)績僅供參考，不構成股票推薦，也不構成對基金業(yè)績的預測和保證。 以上觀點僅供參考，不構成投資建議或承諾。如需購買相關基金產(chǎn)品，請您關注投資者適當性管理相關規(guī)定、提前做好風險測評，并根據(jù)您自身的風險承受能力購買與之相匹配的風險等級的基金產(chǎn)品?；鹩酗L險，投資需謹慎。