現(xiàn)在大家可能會比較關(guān)心AI跟存儲的問題，但從研究來看，不管是先進(jìn)制程，比如GPU放量所帶來的先進(jìn)制程需求擴產(chǎn)，還是相關(guān)的存儲擴展，從當(dāng)前A股的一些標(biāo)的來看，半導(dǎo)體設(shè)備會是一個確定性較強的賽道。

首先，從整個半導(dǎo)體行業(yè)的周期來看，2023年以來，半導(dǎo)體行業(yè)受到了AI的強力拉動。從全球半導(dǎo)體銷售額來看，2023年至今，銷售額增長非常迅猛，其中絕大部分增量都來自于GPU相關(guān)的收入。從海外市場來看，確實有很多優(yōu)秀的公司走出了強勁行情，甚至締造出了幾家數(shù)萬億美元市值的全球龍頭公司。

AI的強力拉動同樣作用于國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對其成長形成強勁支撐。今天主要分享半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)內(nèi)容，首先給大家介紹半導(dǎo)體行業(yè)的一些基本環(huán)節(jié)情況。

這些年除了個別特殊年份，全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的市場規(guī)?；颈３址€(wěn)定增長。最主要的原因很簡單：隨著科技發(fā)展，我們使用的消費電子產(chǎn)品越來越多，包括手機、電腦、平板電腦、無人機，甚至現(xiàn)在機器人也在逐步走進(jìn)千家萬戶。這類消費電子終端的放量，會帶動半導(dǎo)體器件的用量大幅增加；而半導(dǎo)體芯片使用量越多，對于半導(dǎo)體設(shè)備市場而言，也必然會呈現(xiàn)同步向上的趨勢。

在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中，晶圓制造設(shè)備的占比達(dá)到90%左右。從晶圓制造設(shè)備內(nèi)部來看，薄膜沉積、刻蝕和光刻這三項技術(shù)的占比相對較高，每項占比均在20%左右。

中國市場近年來成長十分迅速，大家可以參考右下角的圖表。核心原因除了剛才提到的半導(dǎo)體芯片需求量上漲帶動設(shè)備需求同步上行之外，另一個核心原因則是國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的發(fā)展需求。因此，中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的增速顯著高于全球平均水平。

數(shù)據(jù)來源：Wind，Semi

目前，中國半導(dǎo)體設(shè)備市場已占到全球的40%左右。為什么我們需要大量先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備？這還需要從芯片制造的核心環(huán)節(jié)說起。

在光刻過程中，我們通常會在晶圓表面覆蓋一層光刻膠。這層光刻膠具有特殊特性，例如被光照射后會變得易于去除。這樣一來，我們就可以將所需的電路圖案印制在掩膜板上。

在完整的芯片制造流程中，光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝需要重復(fù)成千上萬次。這里的模型旨在幫助大家理解芯片從沙子到成品的制作過程。以硅片制造為例，其核心流程并不復(fù)雜：首先對工業(yè)砂進(jìn)行提純，隨后將提純后的材料拉制成晶棒，經(jīng)過打磨、拋光、切割等工序后，最終形成晶圓。晶圓制成后，便會進(jìn)入前文提到的薄膜沉積、光刻等工藝環(huán)節(jié)。

薄膜沉積的主流方法有三種，分別是CVD（化學(xué)氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）和ALD（原子層沉積）。CVD采用化學(xué)方法進(jìn)行沉積，PVD則采用物理方法，ALD同樣屬于化學(xué)沉積方法，但其技術(shù)更為先進(jìn)，能夠通過高精度控制將沉積薄膜的厚度精準(zhǔn)到原子級別，因此更適用于對薄膜沉積精度要求較高的場景。

從全球市場格局來看，CVD、PVD、ALD等主流薄膜沉積設(shè)備的市場份額目前仍主要由海外廠商占據(jù)。不過，國內(nèi)廠商近年來的成長速度十分迅猛。

第二個核心工藝是光刻。光刻工藝的技術(shù)壁壘極高，光刻機包含大量核心技術(shù)。我們可以了解到：第四代光刻機的波長為193納米，其最小工藝節(jié)點可覆蓋20~30納米區(qū)間。而最先進(jìn)的EUV（極紫外線）光刻機，目前仍是先進(jìn)制程中的主流設(shè)備。EUV光刻機目前主要由海外龍頭企業(yè)壟斷，國內(nèi)市場仍完全依賴進(jìn)口。

從全球市場份額來看，目前光刻機市場主要由阿斯麥（ASML）、佳能和尼康三家公司主導(dǎo)。其中阿斯麥的市場份額超過80%，在EUV光刻機領(lǐng)域更是占據(jù)100%的市場份額。也就是說，全球范圍內(nèi)的芯片制造廠（Fab）若需EUV光刻機，只能向阿斯麥采購。該設(shè)備主要應(yīng)用于先進(jìn)制程。目前光刻機的國產(chǎn)替代率仍較低，這也將是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)未來的核心成長賽道。

根據(jù)長江證券的測算，截至2024年，半導(dǎo)體設(shè)備在不同細(xì)分賽道的國產(chǎn)替代率存在差異。其中，光刻目前仍完全依賴進(jìn)口；薄膜沉積的國產(chǎn)替代率約20%；刻蝕的國產(chǎn)替代率約28%；量檢測、涂膠顯影等環(huán)節(jié)的國產(chǎn)替代率則相對較低。以上就是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的基本情況。

半導(dǎo)體設(shè)備行情已從單一自主可控，升級為與海外算力強映射的格局，海外存儲企業(yè)資本開支變動對國內(nèi)板塊催化明顯。當(dāng)前板塊估值分位低于主流芯片指數(shù)，性價比突出。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）優(yōu)勢顯著：持倉涵蓋設(shè)備與材料領(lǐng)域龍頭，聚焦核心工藝環(huán)節(jié)；是市場規(guī)模最大、流動性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題ETF，當(dāng)前節(jié)點半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）催化邏輯明確，是把握行業(yè)景氣周期的優(yōu)選工具。

風(fēng)險提示：

投資人應(yīng)當(dāng)充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導(dǎo)投資人進(jìn)行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風(fēng)險，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲蓄的等效理財方式。

無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預(yù)期風(fēng)險和預(yù)期收益的證券投資基金品種，其預(yù)期收益及預(yù)期風(fēng)險水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。

基金資產(chǎn)投資于科創(chuàng)板和創(chuàng)業(yè)板股票，會面臨因投資標(biāo)的、市場制度以及交易規(guī)則等差異帶來的特有風(fēng)險，提請投資者注意。

板塊/基金短期漲跌幅列示僅作為文章分析觀點之輔助材料，僅供參考，不構(gòu)成對基金業(yè)績的保證。

文中提及個股短期業(yè)績僅供參考，不構(gòu)成股票推薦，也不構(gòu)成對基金業(yè)績的預(yù)測和保證。

以上觀點僅供參考，不構(gòu)成投資建議或承諾。如需購買相關(guān)基金產(chǎn)品，請您關(guān)注投資者適當(dāng)性管理相關(guān)規(guī)定、提前做好風(fēng)險測評，并根據(jù)您自身的風(fēng)險承受能力購買與之相匹配的風(fēng)險等級的基金產(chǎn)品。基金有風(fēng)險，投資需謹(jǐn)慎。