每日經(jīng)濟新聞 2026-04-17 11:01:04
每經(jīng)AI快訊，4月17日，長電科技通過公眾號宣布，公司成功完成基于玻璃通孔（TGV）結(jié)構(gòu)與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級射頻集成無源器件（IPD）工藝驗證，通過測試結(jié)構(gòu)的試制與實測評估，公司驗證了在玻璃基底上構(gòu)建三維集成無源器件的可制造性與性能優(yōu)勢，為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。
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